硫化鉬研究獲突破 沾“鉬”概念引關(guān)注
【中鎢在線新聞網(wǎng)-鎢新聞】
硫化鉬研究獲突破 沾“鉬”概念引關(guān)注
早在今年1月中旬時(shí)，鉬鐵價(jià)格的暴漲，就曾掀起過(guò)一陣炒鉬風(fēng)暴；如今，硫化鉬研究的突破，再度引發(fā)市場(chǎng)關(guān)注。據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)北卡州立大學(xué)的研究人員表示，他們開(kāi)發(fā)出了制造高質(zhì)量原子量級(jí)半導(dǎo)體膜(膜厚度僅為單原子直徑)的新技術(shù)，新技術(shù)能將現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)的規(guī)�？s小到原子量級(jí)，包括激光器、發(fā)光二極管和計(jì)算機(jī)芯片等；而其所用材料硫化鉬成為關(guān)鍵。分析人士指出，此次氧化硫研究獲得突破后，半導(dǎo)體膜在納米電子器件中將更受歡迎，A股市場(chǎng)中沾“鉬”概念，如洛陽(yáng)鉬業(yè)、新華龍、金鉬股份將有望受到資金的青睞據(jù)海外媒體報(bào)道，美國(guó)北卡州立大學(xué)研究人員日前表示，他們開(kāi)發(fā)出了制造高質(zhì)量原子量級(jí)半導(dǎo)體膜(膜厚度僅為單原子直徑)的新技術(shù)。其材料科學(xué)和工程助理教授曹林友表示，新技術(shù)能將現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)的規(guī)模縮小到原子量級(jí)，包括激光器、發(fā)光二極管和計(jì)算機(jī)芯片等。
據(jù)悉，研究人員研究的材料是硫化鉬，它是一種價(jià)格低廉的半導(dǎo)體材料，電子和光學(xué)特性與目前半導(dǎo)體工業(yè)界所用的材料相似。然而，硫化鉬又與其他半導(dǎo)體材料有所不同，因?yàn)樗芤詥卧臃謱由L(zhǎng)形成單層膜，同時(shí)膜又不會(huì)失去原有的材料特性。在新技術(shù)中，研究人員將硫粉和氯化鉬粉放置于爐內(nèi)，并將溫度逐步升高到850攝氏度，此時(shí)兩種粉末出現(xiàn)蒸發(fā)(汽化)并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成硫化鉬。而繼續(xù)保持高溫，硫化鉬能沉積到基片上，形成的硫化鉬膜。
曹林友表示，他們成功的關(guān)鍵是尋找到了新的硫化鉬生長(zhǎng)機(jī)理，即自限制生長(zhǎng)，并通過(guò)控制高溫爐中分壓和蒸汽壓來(lái)精確地控制硫化鉬層的厚度。據(jù)介紹，分壓代表懸浮在空氣中的原子或分子聚集成固體沉淀到基片上的趨勢(shì)；蒸汽壓代表基片上的固體原子或分子汽化進(jìn)入空氣的趨勢(shì)。為在基片上獲得單層硫化鉬，分壓必須高于蒸汽壓；分壓越高，沉積到底部的硫化鉬層就越多。如果分壓高于在基片上形成單層膜的蒸汽壓，但又低于形成雙層膜的蒸汽壓，那么在分壓和蒸汽壓之間的這種平衡能確保在單層硫化鉬膜形成后膜生長(zhǎng)自動(dòng)停止，不再向多層發(fā)展。這就是 “膜的自限制生長(zhǎng)”。
半導(dǎo)體發(fā)展?jié)摿氨仁?/SPAN>
眾所周知，石墨烯在A股市場(chǎng)上不時(shí)掀起炒作狂潮，而石墨烯自身的發(fā)展，也早就不僅局限于概念的炒作。如今，分析人士表示，單層輝鉬材料有望取代現(xiàn)有的矽和熱門石墨烯，成為下一代半導(dǎo)體材料，其發(fā)展?jié)摿Σ蝗菪∮U。
2011年瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院洛桑分校(EPFL)科學(xué)家制造出了全球第一個(gè)輝鉬礦微晶片，據(jù)悉，輝鉬是未來(lái)取代矽基芯片強(qiáng)力競(jìng)爭(zhēng)者。領(lǐng)導(dǎo)該研究的安德拉斯·基什教授表示，輝鉬是良好的下一代半導(dǎo)體材料，在制造超小型晶體管、發(fā)光二極管和太陽(yáng)能電池方面具有很廣闊的前景，而這次美國(guó)加州納米技術(shù)研究院制成的輝鉬基柔性微處理芯片，未來(lái)前景更加廣闊。
同矽和石墨烯相比，輝鉬的優(yōu)勢(shì)之一是體積更小，輝鉬單分子層是二維的，而矽是一種三維材料。在一張0.65納米厚的輝鉬膜上，電子運(yùn)動(dòng)和在兩納米厚的矽膜上一樣容易，而輝鉬礦可以被加工到只有3個(gè)原子厚。
輝鉬所具有的機(jī)械特性也使得它受到關(guān)注，并有可能成為一種用于彈性電子裝置中的材料，可以用在制造可卷曲的電腦或是能夠貼在皮膚上的裝置，甚至可以植入人體。英國(guó) 《自然。納米技術(shù)》雜志就曾指出，單層的輝鉬材料具備良好的半導(dǎo)體特性，其有些性能還超過(guò)現(xiàn)在廣泛使用的矽和研究熱門石墨烯，未來(lái)有望成為下一代半導(dǎo)體材料。
有分析指出，盡管石墨烯是最有可能在集成電路中替代Si的材料，但石墨烯并非自然狀態(tài)的半導(dǎo)體材料，它必須經(jīng)過(guò)特殊工藝處理來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。輝鉬材料(MoS2)則是真正的半導(dǎo)體材料，并且如石墨烯一樣可以制成原子級(jí)厚度的集成電路，但它與金屬導(dǎo)線之間的連接存在問(wèn)題。3月份，瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院洛桑分校的研究人員實(shí)現(xiàn)了這一突破，他們發(fā)現(xiàn)可以利用氧化鉿將一個(gè)非常小的金電極連接到Si襯底的輝鉬材料上，這樣形成的集成邏輯電路的厚度(0.65nm)比Si集成電路更小，而且比同等尺寸的石墨烯電路更便宜。
另?yè)?jù)外媒報(bào)道，南洋理工材料科學(xué)與工程學(xué)院的研究人員則開(kāi)發(fā)出了一款基于單層MoS2材料的光電晶體管，并對(duì)其電學(xué)性能進(jìn)行了表征研究。研究人員采用了膠帶機(jī)械剝離法在Si/SiO2襯底上沉積了單層MoS2材料；測(cè)量結(jié)果顯示這層MoS2厚度為0.8nm。研究人員使用該材料制造了一個(gè)MoS2場(chǎng)效應(yīng)管，其他部件還包括兩個(gè)鈦/金電極，以及300nm的Si上SiO2作為源極、漏極和背柵材料�！ �
沾鉬概念或現(xiàn)炒作潮
此次氧化硫研究獲得突破后，半導(dǎo)體膜在納米電子器件中將更受歡迎；分析人士指出，A股市場(chǎng)中沾“鉬”概念，如洛陽(yáng)鉬業(yè)、新華龍及金鉬股份將有望受到資金的青睞。
鉬制品生產(chǎn)商、供應(yīng)商：中鎢在線科技有限公司
詳情查閱：http://www.chinatungsten.com
訂購(gòu)電話：0592-5129696短信咨詢：15880262591
電子郵件：sales@chinatungsten.com
鎢圖片網(wǎng)站：http://image.chinatungsten.com
鎢視頻網(wǎng)站：http://v.chinatungsten.com
鎢新聞、價(jià)格手機(jī)網(wǎng)站，3G版：http://3g.chinatungsten.com |
